מספר מוצר של יצרן:
2SK3357-A
Product Overview
יצרן:
Renesas
DiGi Electronics מספר חלק:
2SK3357-A-DG
תיאור:
2SK3357 - N-CHANNEL POWER MOSFET
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 75A (Ta) 3W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3P (MP-88)
מלאי:
294 יחידות חדשות מק originales במלאי
12978542
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2SK3357-A מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Renesas Electronics Corporation
אריזות
Bulk
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
75A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.8mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 1mA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
170 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9800 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3W (Ta), 150W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-3P (MP-88)
חבילה / מארז
TO-3P-3, SC-65-3
מידע נוסף
שמות אחרים
2156-2SK3357-A
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
RoHS non-compliant
סטטוס REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMP3045LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
DMN2710UW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
DMN21D2UFB-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
