מספר מוצר של יצרן:
DMN3009LFVQ-7
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN3009LFVQ-7-DG
תיאור:
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 60A (Tc) 1W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
מלאי:
12979184
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN3009LFVQ-7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
60A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
42 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2000 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount, Wettable Flank
חבילת מכשירים לספקים
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
חבילה / מארז
8-PowerVDFN
מספר מוצר בסיסי
DMN3009
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMN3009LFVQ-7TR
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMN3009LFVQ-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
DMN3009LFVQ-13-DG
מחיר ליחידה
0.22
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMP6250SEQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
DMTH8028LFVWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
NTMFS6H852NT1G
TRENCH 8 80V NFET
