מספר מוצר של יצרן:
DMN2025U-7
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN2025U-7-DG
תיאור:
MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT23 T&R 3
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 5.6A (Ta) 800mW Surface Mount SOT-23-3
מלאי:
3000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12887932
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN2025U-7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.6A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
27mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
0.9V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
5.9 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
485 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
800mW
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
DMN2025
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
31-DMN2025U-7DKR
31-DMN2025U-7CT
DMN2025U-7-DG
31-DMN2025U-7TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BS170PSTOA
MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
DMT3009LFVWQ-7
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
DMN3016LSS-13
MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO
