מספר מוצר של יצרן:
BS170PSTOA
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
BS170PSTOA-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
מלאי:
12887944
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
BS170PSTOA מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
270mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 1mA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
60 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
625mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
E-Line (TO-92 compatible)
חבילה / מארז
E-Line-3
מספר מוצר בסיסי
BS170
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMT3009LFVWQ-7
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
DMN3016LSS-13
MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SO
DMN2015UFDE-7
MOSFET N-CH 20V 10.5A 6UDFN
