מספר מוצר של יצרן:
DMN10H170SVTQ-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN10H170SVTQ-13-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 2.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
מלאי:
12887792
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN10H170SVTQ-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.6A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
160mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.7 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1167 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.2W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TSOT-26
חבילה / מארז
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
מספר מוצר בסיסי
DMN10
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
10,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMN10H170SVT-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
DMN10H170SVT-13-DG
מחיר ליחידה
0.13
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
DMN10H170SVT-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
5799
DiGi מספר חלק
DMN10H170SVT-7-DG
מחיר ליחידה
0.14
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
DMN10H170SVTQ-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
607
DiGi מספר חלק
DMN10H170SVTQ-7-DG
מחיר ליחידה
0.16
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMTH62M8LPS-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
DMP3035SFG-7
MOSFET P-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
DMNH6008SCTQ
MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
