מספר מוצר של יצרן:
DMN10H170SK3Q-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN10H170SK3Q-13-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 12A TO252
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 12A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252-3
מלאי:
37165 יחידות חדשות מק originales במלאי
12891505
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN10H170SK3Q-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
140mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.7 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1167 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
42W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252-3
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
DMN10
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
DMN10H170SK3Q-13DICT
DMN10H170SK3Q-13DIDKR
DMN10H170SK3Q-13DITR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SSM3K35AMFV,L3F
MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
2SK1119(F)
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
SSM5N15FU,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA USV
