מספר מוצר של יצרן:
SSM3K35AMFV,L3F
Product Overview
יצרן:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics מספר חלק:
SSM3K35AMFV,L3F-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 250MA VESM
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount VESM
מלאי:
209110 יחידות חדשות מק originales במלאי
12891507
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SSM3K35AMFV,L3F מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
U-MOSIII
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
250mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.1Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 100µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
0.34 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
36 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
500mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
VESM
חבילה / מארז
SOT-723
מספר מוצר בסיסי
SSM3K35
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
SSM3K35AMFVL3F(B
SSM3K35AMFVL3FCT
SSM3K35AMFVL3F(T
SSM3K35AMFV,L3F(B
SSM3K35AMFVL3FTR
SSM3K35AMFVL3FDKR
SSM3K35AMFV,L3F(T
חבילה סטנדרטית
8,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
2SK1119(F)
MOSFET N-CH 1000V 4A TO220AB
SSM5N15FU,LF
MOSFET N-CH 30V 100MA USV
SSM3J15FS,LF
MOSFET P-CH 30V 100MA SSM
