מספר מוצר של יצרן:
DMN10H170SFDE-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN10H170SFDE-13-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
מלאי:
12882860
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN10H170SFDE-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.9A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
160mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.7 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1167 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
660mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
U-DFN2020-6 (Type E)
חבילה / מארז
6-PowerUDFN
מספר מוצר בסיסי
DMN10
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
DMN10H170SFDE-13DI
חבילה סטנדרטית
10,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMN10H170SFDE-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
2853
DiGi מספר חלק
DMN10H170SFDE-7-DG
מחיר ליחידה
0.14
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMP1022UWS-13
MOSFET P-CH 12V 7.2A 8DFN
DMNH4006SPSQ-13
MOSFET N-CH 40V 110A PWRDI5060-8
DMN2011UFDF-7
MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
