מספר מוצר של יצרן:
DMN2011UFDF-7
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMN2011UFDF-7-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 14.2A 6UDFN
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 14.2A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
מלאי:
12882897
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMN2011UFDF-7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
14.2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9.5mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
56 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2248 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.1W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
U-DFN2020-6 (Type F)
חבילה / מארז
6-UDFN Exposed Pad
מספר מוצר בסיסי
DMN2011
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
DMN2011UFDF-7DIDKR
31-DMN2011UFDF-7TR
DMN2011UFDF-7DIDKR-DG
DMN2011UFDF-7DITR
DMN2011UFDF-7-DG
DMN2011UFDF-7DICT
DMN2011UFDF-7DICT-DG
DMN2011UFDF-7DITR-DG
31-DMN2011UFDF-7DKR
31-DMN2011UFDF-7CT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
DMN2011UFDF-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
9286
DiGi מספר חלק
DMN2011UFDF-13-DG
מחיר ליחידה
0.12
סוג משאב
Parametric Equivalent
מספר חלק
PMPB8XNX
יצרן
Nexperia USA Inc.
כמות זמינה
5000
DiGi מספר חלק
PMPB8XNX-DG
מחיר ליחידה
0.11
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
DMN3731U-7
MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
2N7002AQ-7
MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
