מספר מוצר של יצרן:
DMG9N65CTI
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMG9N65CTI-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 650V 9A ITO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 13W (Tc) Through Hole ITO-220AB
מלאי:
12887780
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMG9N65CTI מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
650 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
39 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2310 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
13W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
ITO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
מספר מוצר בסיסי
DMG9
מידע נוסף
שמות אחרים
DMG9N65CTIDI
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STF7N65M2
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
72
DiGi מספר חלק
STF7N65M2-DG
מחיר ליחידה
0.59
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMG3401LSN-7
MOSFET P-CH 30V 3A SC59
DMN10H170SVTQ-13
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
DMTH62M8LPS-13
MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
