מספר מוצר של יצרן:
DMG3415U-7
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMG3415U-7-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 4A SOT23-3
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
מלאי:
33171 יחידות חדשות מק originales במלאי
12884495
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMG3415U-7 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
39mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.1 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
294 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
900mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
DMG3415
מידע נוסף
שמות אחרים
DMG3415UDITR
DMG3415UDIDKR
DMG3415U7
DMG3415UDICT
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMG4800LFG-7
MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
DMN95H2D2HCTI
MOSFET N-CH 950V 6A ITO220AB
DMN10H099SK3-13
MOSFET N-CH 100V 17A TO252
