מספר מוצר של יצרן:
DMG3415U-13
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
DMG3415U-13-DG
תיאור:
MOSFET P-CH DFN-3
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
מלאי:
12884513
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
DMG3415U-13 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.1 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
294 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
900mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-23-3
חבילה / מארז
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
מספר מוצר בסיסי
DMG3415
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
DMG3415U-13DI
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SI2399DS-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
7732
DiGi מספר חלק
SI2399DS-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.13
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SI2323DDS-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
860
DiGi מספר חלק
SI2323DDS-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.15
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
AO3415A
יצרן
UMW
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
AO3415A-DG
מחיר ליחידה
0.06
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
DMG3415UQ-7
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
3166
DiGi מספר חלק
DMG3415UQ-7-DG
מחיר ליחידה
0.11
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMG2301LK-7
MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
DMN1054UCB4-7
MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
DMN4026SK3-13
MOSFET N-CH 40V 28A TO252
