מספר מוצר של יצרן:
2N7002W-7-F-79
Product Overview
יצרן:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics מספר חלק:
2N7002W-7-F-79-DG
תיאור:
DIODE
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-323
מלאי:
12997993
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
2N7002W-7-F-79 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Diodes Incorporated
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
115mA (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2V @ 250µA
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
50 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
200mW (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
SOT-323
חבילה / מארז
SC-70, SOT-323
מספר מוצר בסיסי
2N7002
מידע נוסף
שמות אחרים
31-2N7002W-7-F-79
חבילה סטנדרטית
1
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
2N7002W-7-F
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
325071
DiGi מספר חלק
2N7002W-7-F-DG
מחיר ליחידה
0.04
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDS6673BZ-G
-30V P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFE
GSFN0982
MOSFET, N-CH, SINGLE, 48A, 100V,
RJ1L12CGNTLL
NCH 60V 120A POWER MOSFET: RJ1L1
