מספר מוצר של יצרן:
RJ1L12CGNTLL
Product Overview
יצרן:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics מספר חלק:
RJ1L12CGNTLL-DG
תיאור:
NCH 60V 120A POWER MOSFET: RJ1L1
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 166W (Tc) Surface Mount TO-263AB
מלאי:
1000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12998018
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
RJ1L12CGNTLL מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
ROHM Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 200µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
139 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
7100 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
166W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263AB
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
RJ1L12
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
846-RJ1L12CGNTLLCT
846-RJ1L12CGNTLLDKR
846-RJ1L12CGNTLLTR
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
CMS09N10D-HF
MOSFET N-CH 100V 9.6A DPAK
SCT4013DRC15
750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
GSFP0255
MOSFET, P-CH, SINGLE, -55A, -20V
