מספר מוצר של יצרן:
AOWF12T60P
Product Overview
יצרן:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
AOWF12T60P-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-262F
מלאי:
937 יחידות חדשות מק originales במלאי
12850638
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
AOWF12T60P מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
520mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
50 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2028 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
28W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262F
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
AOWF12
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
שרטוטי מוצרים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
AOWF12T60P-DG
5202-AOWF12T60P
785-1693-5
AOWF12T60PL
785-1702-5
785-1693-5-DG
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
AOWF12T60P
יצרן
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
כמות זמינה
937
DiGi מספר חלק
AOWF12T60P-DG
מחיר ליחידה
0.54
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQPF12P20
MOSFET P-CH 200V 7.3A TO220F
FCA22N60N
MOSFET N-CH 600V 22A TO3PN
FCU2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
