מספר מוצר של יצרן:
AOW298
Product Overview
יצרן:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
AOW298-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO262
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 9A (Ta), 58A (Tc) 2.1W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-262
מלאי:
12848963
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
AOW298 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Ta), 58A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
14.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
27 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1670 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.1W (Ta), 100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-262
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
AOW29
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
5202-AOW298
785-1379-5
חבילה סטנדרטית
1,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDI150N10
יצרן
onsemi
כמות זמינה
3338
DiGi מספר חלק
FDI150N10-DG
מחיר ליחידה
1.16
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPI50N10S3L16AKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IPI50N10S3L16AKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.38
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FDB2552-F085
MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB
BSS670S2LH6327XTSA1
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23-3
NTHS2101PT1G
MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET
