מספר מוצר של יצרן:
IPI50N10S3L16AKSA1
Product Overview
יצרן:
Infineon Technologies
DiGi Electronics מספר חלק:
IPI50N10S3L16AKSA1-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
מלאי:
12805535
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IPI50N10S3L16AKSA1 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Infineon Technologies
אריזות
Tube
סדרה
OptiMOS™
סטטוס המוצר
Last Time Buy
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
15.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 60µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
64 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4180 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
PG-TO262-3
חבילה / מארז
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
מספר מוצר בסיסי
IPI50N10
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
IPI50N10S3L-16-DG
SP000407120
INFINFIPI50N10S3L16AKSA1
2156-IPI50N10S3L16AKSA1
IPI50N10S3L-16
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRF540ZLPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
862
DiGi מספר חלק
IRF540ZLPBF-DG
מחיר ליחידה
0.53
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IPP70N10S3L12AKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
401
DiGi מספר חלק
IPP70N10S3L12AKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.21
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF2804STRL-7P
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
IPP80N06S2H5AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRFSL7430PBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
