מספר מוצר של יצרן:
AOTF2610L
Product Overview
יצרן:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
AOTF2610L-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 9A/35A TO220-3F
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 9A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 31W (Tc) Through Hole TO-220F
מלאי:
12850373
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
AOTF2610L מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Ta), 35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2007 pF @ 30 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.1W (Ta), 31W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220F
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack
מספר מוצר בסיסי
AOTF2610
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
שרטוטי מוצרים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
5202-AOTF2610L
785-1638-5
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK40A06N1,S4X
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
480
DiGi מספר חלק
TK40A06N1,S4X-DG
מחיר ליחידה
0.42
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
FQPF15P12
MOSFET P-CH 120V 15A TO220F
FDS6673BZ
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
BSO130P03SHXUMA1
MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
