מספר מוצר של יצרן:
AOI2210
Product Overview
יצרן:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
AOI2210-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 200V 3A/18A TO251A
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 3A (Ta), 18A (Tc) 2.5W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-251A
מלאי:
12845274
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
AOI2210 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
3A (Ta), 18A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
105mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2065 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 100W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251A
חבילה / מארז
TO-251-3 Stub Leads, IPak
מספר מוצר בסיסי
AOI22
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
שרטוטי מוצרים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
AOI2210-DG
5202-AOI2210
785-1708-5
חבילה סטנדרטית
3,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK7Q60W,S1VQ
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
75
DiGi מספר חלק
TK7Q60W,S1VQ-DG
מחיר ליחידה
0.81
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
