מספר מוצר של יצרן:
AOI1N60
Product Overview
יצרן:
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
DiGi Electronics מספר חלק:
AOI1N60-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO251A
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 1.3A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251A
מלאי:
12845275
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
AOI1N60 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
1.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9Ohm @ 650mA, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
8 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
160 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
45W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-50°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251A
חבילה / מארז
TO-251-3 Stub Leads, IPak
מספר מוצר בסיסי
AOI1
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
שרטוטי מוצרים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTU8N70X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
64
DiGi מספר חלק
IXTU8N70X2-DG
מחיר ליחידה
1.71
סוג משאב
Direct
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
AOT12N50
MOSFET N-CH 500V 12A TO220
AO7411
MOSFET P-CH 20V 1.8A SC70-6
AO4302
MOSFET N-CH 30V 23A 8SOIC
