מספר מוצר של יצרן:
SQM40081EL_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQM40081EL_GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 40V 50A TO263
תיאור מפורט:
P-Channel 40 V 50A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
1520 יחידות חדשות מק originales במלאי
13010118
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQM40081EL_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Last Time Buy
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
230 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
9950 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
107W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
SQM40081
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR492DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
SUM40012EL-GE3
MOSFET N-CH 40V 150A TO263
SUD50P06-15L-T4-E3
MOSFET P-CH 60V 50A TO252
