מספר מוצר של יצרן:
SIZF916DT-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIZF916DT-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 23A 8POWERPAIR
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 23A (Ta), 40A (Tc) 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)
מלאי:
890 יחידות חדשות מק originales במלאי
13061074
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIZF916DT-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
יצרן
Vishay Siliconix
סדרה
TrenchFET® Gen IV
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
-
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
23A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
4mOhm @ 10A, 10V, 1.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
22nC @ 10V, 95nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1060pF @ 15V, 4320pF @ 15V
הספק - מקס'
3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 4W (Ta), 60W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-PowerWDFN
חבילת מכשירים לספקים
8-PowerPair® (6x5)
מספר מוצר בסיסי
SIZF916
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
2266-SIZF916DT-T1-GE3TR
SIZF916DT-T1-GE3TR
SIZF916DT-T1-GE3CT
SIZF916DT-T1-GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4511DY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8SOIC
SI5933CDC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
SI1029X-T1-E3
MOSFET N/P-CH 60V 0.305A SC89
