SIRA16DP-T1-GE3
מספר מוצר של יצרן:

SIRA16DP-T1-GE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SIRA16DP-T1-GE3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 16A (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8

מלאי:

13006951
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SIRA16DP-T1-GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.8mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
47 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+20V, -16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2060 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
-
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIRA16

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay

SQP60N06-15_GE3

MOSFET N-CH 60V 56A TO220AB

vishay

SIHP8N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB

vishay

SIHF10N40D-E3

MOSFET N-CH 400V 10A TO220

vishay

SUD50N04-05L-E3

MOSFET N-CH 40V 115A TO252