מספר מוצר של יצרן:
SIRA02DP-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIRA02DP-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 50A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
7498 יחידות חדשות מק originales במלאי
13060264
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIRA02DP-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
117 nC @ 10 V
VGS (מקס')
+20V, -16V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
6150 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIRA02
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
שרטוטי מוצרים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SIRA02DP-T1-GE3DKR
SIRA02DP-T1-GE3TR
SIRA02DP-T1-GE3CT
SIRA02DPT1GE3
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQA442EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 9A PPAK SC70-6
SI7758DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
SI1413EDH-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6