SIR124DP-T1-RE3
מספר מוצר של יצרן:

SIR124DP-T1-RE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SIR124DP-T1-RE3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 16.1A (Ta), 56.8A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

מלאי:

7530 יחידות חדשות מק originales במלאי
13006513
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח

SIR124DP-T1-RE3 מפרטים טכניים

קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® Gen IV
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
8.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3.8V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1666 pF @ 40 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
5W (Ta), 62.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SIR124

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
vishay

SQP120N10-3M8_GE3

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

vishay

SIHG47N60AEL-GE3

MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC

vishay

SIHD7N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

vishay

SIR638DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8