מספר מוצר של יצרן:
SIHB28N60EF-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIHB28N60EF-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
מלאי:
1229 יחידות חדשות מק originales במלאי
13063064
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIHB28N60EF-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tube
סדרה
-
אריזה
Tube
מצב חלק
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
28A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
123mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
120 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2714 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
D2PAK
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
SIHB28
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHH21N60EF-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A PPAK 8 X 8
SIHB30N60AEL-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A TO263
SIHB24N65E-E3
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
