מספר מוצר של יצרן:
SIA459EDJ-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SIA459EDJ-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC70-6
תיאור מפורט:
P-Channel 20 V 9A (Tc) 2.9W (Ta), 15.6W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
מלאי:
15828 יחידות חדשות מק originales במלאי
13008977
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SIA459EDJ-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
35mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
885 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.9W (Ta), 15.6W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-50°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SC-70-6
חבילה / מארז
PowerPAK® SC-70-6
מספר מוצר בסיסי
SIA459
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SUD50N04-16P-E3
MOSFET N-CH 40V 9.8A/20A TO252
SIS410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
SISS27DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
