מספר מוצר של יצרן:
SI7818DN-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI7818DN-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
תיאור מפורט:
N-Channel 150 V 2.2A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
מלאי:
1154 יחידות חדשות מק originales במלאי
13057935
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI7818DN-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Last Time Buy
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
150 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
2.2A (Ta)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
135mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
30 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
1.5W (Ta)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8
מספר מוצר בסיסי
SI7818
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI7818DN-T1-E3TR
SI7818DNT1E3
SI7818DN-T1-E3CT
SI7818DN-T1-E3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
FDMC86244
יצרן
onsemi
כמות זמינה
9494
DiGi מספר חלק
FDMC86244-DG
מחיר ליחידה
0.43
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
BSZ440N10NS3GATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
23952
DiGi מספר חלק
BSZ440N10NS3GATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.30
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIJA52ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
SI7423DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8
SI7120DN-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
