מספר מוצר של יצרן:
SI7159DP-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI7159DP-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 30A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
מלאי:
13057515
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI7159DP-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
30A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
180 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±25V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
5170 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® SO-8
חבילה / מארז
PowerPAK® SO-8
מספר מוצר בסיסי
SI7159
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7450DP-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
IRFR9214TRL
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
SI4890DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC