מספר מוצר של יצרן:
SI7100DN-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI7100DN-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
תיאור מפורט:
N-Channel 8 V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
מלאי:
13058669
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI7100DN-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
8 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
35A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.5mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
105 nC @ 8 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3810 pF @ 4 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-50°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8
מספר מוצר בסיסי
SI7100
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SQJA34EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
SI7636DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
SIA413ADJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
