מספר מוצר של יצרן:
SI4936BDY-T1-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI4936BDY-T1-E3-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC
תיאור מפורט:
Mosfet Array 30V 6.9A 2.8W Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
10219 יחידות חדשות מק originales במלאי
13055479
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI4936BDY-T1-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
יצרן
Vishay Siliconix
סדרה
TrenchFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Last Time Buy
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Logic Level Gate
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6.9A
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
35mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15nC @ 10V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
530pF @ 15V
הספק - מקס'
2.8W
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
מספר מוצר בסיסי
SI4936
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SI4936BDYT1E3
SI4936BDY-T1-E3TR
SI4936BDY-T1-E3CT
SI4936BDY-T1-E3DKR
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
ZXMN3A06DN8TA
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
1033
DiGi מספר חלק
ZXMN3A06DN8TA-DG
מחיר ליחידה
0.41
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
RGW80TS65GC11
יצרן
Rohm Semiconductor
כמות זמינה
152
DiGi מספר חלק
RGW80TS65GC11-DG
מחיר ליחידה
2.33
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
AO4840
יצרן
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
כמות זמינה
17785
DiGi מספר חלק
AO4840-DG
מחיר ליחידה
0.21
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI4953ADY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 30V 3.7A 8SOIC
SI3585DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6TSOP
SI1967DH-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 1.3A SC70-6
