מספר מוצר של יצרן:
SI4666DY-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI4666DY-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 25V 16.5A 8SO
תיאור מפורט:
N-Channel 25 V 16.5A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
13054439
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI4666DY-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
25 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16.5A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
1.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
34 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±12V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1145 pF @ 10 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
SI4666
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SI4666DY-T1-GE3CT
SI4666DY-T1-GE3TR
SI4666DY-T1-GE3DKR
SI4666DYT1GE3
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRFZ48R
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
IRFP460LC
MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
IRFL014TRPBF
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
