מספר מוצר של יצרן:
SI4176DY-T1-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SI4176DY-T1-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 12A (Tc) 2.4W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
מלאי:
13056924
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SI4176DY-T1-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
אריזה
Tape & Reel (TR)
מצב חלק
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
12A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
20mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.2V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
15 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
490 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.4W (Ta), 5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-SOIC
חבילה / מארז
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
מספר מוצר בסיסי
SI4176
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SI4178DY-T1-GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
2375
DiGi מספר חלק
SI4178DY-T1-GE3-DG
מחיר ליחידה
0.18
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
STS10N3LH5
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
4575
DiGi מספר חלק
STS10N3LH5-DG
מחיר ליחידה
0.40
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
DMN3030LSS-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
2492
DiGi מספר חלק
DMN3030LSS-13-DG
מחיר ליחידה
0.13
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
DMN3018SSS-13
יצרן
Diodes Incorporated
כמות זמינה
1868
DiGi מספר חלק
DMN3018SSS-13-DG
מחיר ליחידה
0.08
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI7898DP-T1-E3
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
IRFR210TRRPBF
MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK
SI4412ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SO
