מספר מוצר של יצרן:
IRFI744GPBF
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
IRFI744GPBF-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220-3
תיאור מפורט:
N-Channel 450 V 4.9A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
מלאי:
13048254
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
IRFI744GPBF מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
-
אריזה
Tube
מצב חלק
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
450 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
4.9A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
630mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
80 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1400 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
40W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220-3
חבילה / מארז
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
מספר מוצר בסיסי
IRFI744
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
*IRFI744GPBF
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
TK9A45D(STA4,Q,M)
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
50
DiGi מספר חלק
TK9A45D(STA4,Q,M)-DG
מחיר ליחידה
0.57
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
TK11A45D(STA4,Q,M)
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
46
DiGi מספר חלק
TK11A45D(STA4,Q,M)-DG
מחיר ליחידה
0.70
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRFI840GPBF
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IRFI840GPBF-DG
מחיר ליחידה
1.18
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
R6515KNJTL
MOSFET N-CH 650V 15A LPTS
R6047KNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 47A TO247
IRFD9220
MOSFET P-CH 200V 560MA 4DIP
