IRF830AL

מספר מוצר של יצרן:

IRF830AL

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

IRF830AL-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK

תיאור מפורט:

N-Channel 500 V 5A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Through Hole I2PAK

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

13049710

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

IRF830AL מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

-

סדרה

-

אריזה

Tube

מצב חלק

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

500 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

5A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

1.4Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4.5V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

24 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±30V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

620 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

I2PAK

חבילה / מארז

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

מספר מוצר בסיסי

IRF830

דף נתונים ומסמכים

גליונות נתונים

IRF830AS,AL, SiHF830AS,AL

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

מידע נוסף

שמות אחרים

*IRF830AL

חבילה סטנדרטית

50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS non-compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

IRF830ALPBF

יצרן

Vishay Siliconix

כמות זמינה

0

DiGi מספר חלק

IRF830ALPBF-DG

מחיר ליחידה

0.89

סוג משאב

Direct

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay

2N6661JTXP02

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

vishay

IRF610STRRPBF

MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK

vishay

IRF840SPBF

MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

vishay

IRF540STRRPBF

MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK