VP0808B

מספר מוצר של יצרן:

VP0808B

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

VP0808B-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 80V 880MA TO39

תיאור מפורט:

P-Channel 80 V 880mA (Ta) 6.25W (Ta) Through Hole TO-39

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12787791

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

VP0808B מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

-

סדרה

-

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

80 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

880mA (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

5Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4.5V @ 1mA

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

150 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

6.25W (Ta)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-39

חבילה / מארז

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

מספר מוצר בסיסי

VP0808

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

100

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

RoHS non-compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

SUP50010E-GE3

MOSFET N-CH 60V 150A TO220AB

AOD4184L

MOSFET

taiwan-semiconductor

TQM025NH04LCR-V RLG

40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE

taiwan-semiconductor

TQM019NH04CR-V RLG

40V, 100A, SINGLE N-CHANNEL POWE