מספר מוצר של יצרן:
SUP85N02-03-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SUP85N02-03-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 20 V 85A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12919276
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SUP85N02-03-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
85A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3mOhm @ 30A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
450mV @ 2mA (Min)
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
200 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±8V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
21250 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
250W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SUP85
דף נתונים ומסמכים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
גליונות נתונים
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR468DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIHFS11N50A-GE3
MOSFET N-CH 500V 11A TO263
SQM50N04-4M1_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO263
