SUP57N20-33-E3

מספר מוצר של יצרן:

SUP57N20-33-E3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SUP57N20-33-E3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB

תיאור מפורט:

N-Channel 200 V 57A (Tc) 3.75W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB

מלאי:

478 יחידות חדשות מק originales במלאי

12921123

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

SUP57N20-33-E3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

Tube

סדרה

TrenchFET®

סטטוס המוצר

Active

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

200 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

57A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

33mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

4V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

130 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

5100 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

3.75W (Ta), 300W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Through Hole

חבילת מכשירים לספקים

TO-220AB

חבילה / מארז

TO-220-3

מספר מוצר בסיסי

SUP57

דף נתונים ומסמכים

גיליונות נתונים

גיליון נתונים של HTML

SUP57N20-33-E3-DG

גליונות נתונים

SUP57N20-33 Packaging Information

מידע נוסף

שמות אחרים

SUP57N2033E3

חבילה סטנדרטית

50

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

SIHP15N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB

vishay-siliconix

SIA411DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6

vishay-siliconix

SIHG14N50D-E3

MOSFET N-CH 500V 14A TO247AC

diodes

ZVN3320ASTOA

MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3