מספר מוצר של יצרן:
SUM90100E-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SUM90100E-GE3-DG
תיאור:
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P
תיאור מפורט:
N-Channel 200 V 150A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
767 יחידות חדשות מק originales במלאי
12959077
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SUM90100E-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Bulk
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
200 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
150A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11.4mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
110 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3930 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SUM90100E-GE3
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IPTC014N08NM5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 37A/330A HDSOP
IPA030N10NF2SXKSA1
TRENCH >=100V PG-TO220-3
SUM60061EL-GE3
P-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET D2PA
