מספר מוצר של יצרן:
SUM70030M-GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SUM70030M-GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 150A TO263-7
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 150A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-263-7
מלאי:
293 יחידות חדשות מק originales במלאי
12948260
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SUM70030M-GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
150A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
3.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
214 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
10870 pF @ 50 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
375W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263-7
חבילה / מארז
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
מספר מוצר בסיסי
SUM70030
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SUM70030M-GE3
742-SUM70030M-GE3DKR
742-SUM70030M-GE3CT
742-SUM70030M-GE3-DG
742-SUM70030M-GE3TR
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIRA20BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
SI7469ADP-T1-RE3
MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK
SIR681DP-T1-RE3
MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
