מספר מוצר של יצרן:
SUM25P10-138-E3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SUM25P10-138-E3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 100V 16.7A TO263
תיאור מפורט:
N-Channel 100 V 16.7A (Tc) 3.75W (Ta), 88.2W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
מלאי:
12920666
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SUM25P10-138-E3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
100 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16.7A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
13.8mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
60 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
2110 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
3.75W (Ta), 88.2W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-263 (D2PAK)
חבילה / מארז
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
מספר מוצר בסיסי
SUM25
מידע נוסף
חבילה סטנדרטית
800
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
STB80NF10T4
יצרן
STMicroelectronics
כמות זמינה
775
DiGi מספר חלק
STB80NF10T4-DG
מחיר ליחידה
1.46
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
HUF75645S3ST
יצרן
onsemi
כמות זמינה
25585
DiGi מספר חלק
HUF75645S3ST-DG
מחיר ליחידה
1.34
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SUM90P10-19L-E3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
5936
DiGi מספר חלק
SUM90P10-19L-E3-DG
מחיר ליחידה
1.90
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
FDB150N10
יצרן
onsemi
כמות זמינה
738
DiGi מספר חלק
FDB150N10-DG
מחיר ליחידה
1.71
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRFS4510TRLPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2680
DiGi מספר חלק
IRFS4510TRLPBF-DG
מחיר ליחידה
0.97
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIR104DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
SIR774DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V
PMCM6501VNEZ
MOSFET N-CH 12V 7.3A 6WLCSP
