SUD50N03-12P-GE3

מספר מוצר של יצרן:

SUD50N03-12P-GE3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SUD50N03-12P-GE3-DG

תיאור:

MOSFET N-CH 30V 16.8A TO252

תיאור מפורט:

N-Channel 30 V 16.8A (Ta) 39W (Tc) Surface Mount TO-252AA

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12786511

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

SUD50N03-12P-GE3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

-

סדרה

TrenchFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

N-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

30 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

16.8A (Ta)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

17mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

42 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

1600 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

39W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 150°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-252AA

חבילה / מארז

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

מספר מוצר בסיסי

SUD50

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

2,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

SIRA50DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK

vishay-siliconix

SQM25N15-52_GE3

MOSFET N-CH 150V 25A TO263

vishay-siliconix

SIR422DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIJ438DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8