מספר מוצר של יצרן:
SUD19P06-60-BE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SUD19P06-60-BE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 38.5W (Tc) Surface Mount TO-252AA
מלאי:
3741 יחידות חדשות מק originales במלאי
12971969
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SUD19P06-60-BE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
18.3A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
60mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
3V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
40 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1710 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
TO-252AA
חבילה / מארז
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
מספר מוצר בסיסי
SUD19
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SUD19P06-60-BE3CT
742-SUD19P06-60-BE3TR
742-SUD19P06-60-BE3DKR
חבילה סטנדרטית
2,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PJQ2463A_R1_00001
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD100P03_L2_00001
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
NTMT185N60S5H
SUPERFET5 FAST 185MOHM PQFN88
