SUD08P06-155L-T4E3

מספר מוצר של יצרן:

SUD08P06-155L-T4E3

Product Overview

יצרן:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics מספר חלק:

SUD08P06-155L-T4E3-DG

תיאור:

MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252

תיאור מפורט:

P-Channel 60 V 8.4A (Tc) 1.7W (Ta), 20.8W (Tc) Surface Mount TO-252AA

מלאי:

בקשת מחיר מקוונת

12920506

בקשת הצעת מחיר

כמות
מינימום 1

(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות

שלח

SUD08P06-155L-T4E3 מפרטים טכניים

קטגוריה

שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs

יצרן

Vishay

אריזות

-

סדרה

TrenchFET®

סטטוס המוצר

Obsolete

סוג FET

P-Channel

טכנולוגיה

MOSFET (Metal Oxide)

ניקוז למתח מקור (Vdss)

60 V

זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C

8.4A (Tc)

מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (מקס) @ ID, Vgs

155mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (מקס') @ מזהה

3V @ 250µA

חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS

19 nC @ 10 V

VGS (מקס')

±20V

קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds

450 pF @ 25 V

תכונת FET

-

פיזור כוח (מרבי)

1.7W (Ta), 20.8W (Tc)

טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)

סוג הרכבה

Surface Mount

חבילת מכשירים לספקים

TO-252AA

חבילה / מארז

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

מספר מוצר בסיסי

SUD08

מידע נוסף

חבילה סטנדרטית

2,000

סיווג סביבתי וייצוא

סטטוס RoHS

ROHS3 Compliant

רמת רגישות ללחות (MSL)

1 (Unlimited)

סטטוס REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

מודלים חלופיים

מספר חלק

SUD08P06-155L-GE3

יצרן

Vishay Siliconix

כמות זמינה

18214

DiGi מספר חלק

SUD08P06-155L-GE3-DG

מחיר ליחידה

0.34

סוג משאב

Direct

עבודת תקן DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

מוצרים קשורים

vishay-siliconix

SIR826DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIS322DNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 38.3A PPAK1212-8

onsemi

FQP85N06

MOSFET N-CH 60V 85A TO220-3

vishay-siliconix

SIHB24N65EF-GE3

MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK