מספר מוצר של יצרן:
SQS484EN-T1_BE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQS484EN-T1_BE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8
תיאור מפורט:
N-Channel 40 V 16A (Tc) 62W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
מלאי:
10623 יחידות חדשות מק originales במלאי
12939480
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQS484EN-T1_BE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
40 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9mOhm @ 16.4A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
39 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1855 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
62W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8
מספר מוצר בסיסי
SQS484
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SQS484EN-T1_BE3CT
742-SQS484EN-T1_BE3DKR
742-SQS484EN-T1_BE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
SQS484CENW-T1_GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
2100
DiGi מספר חלק
SQS484CENW-T1_GE3-DG
מחיר ליחידה
0.25
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
SQS484EN-T1_GE3
יצרן
Vishay Siliconix
כמות זמינה
12882
DiGi מספר חלק
SQS484EN-T1_GE3-DG
מחיר ליחידה
0.34
סוג משאב
Parametric Equivalent
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SUD35N10-26P-BE3
MOSFET N-CH 100V 12A/35A DPAK
RSS090N03FRATB
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
SIHD14N60E-BE3
MOSFET N-CH 600V 13A TO252AA
