מספר מוצר של יצרן:
SQS423EN-T1_BE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQS423EN-T1_BE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
מלאי:
12939448
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQS423EN-T1_BE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
21mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
26 nC @ 4.5 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1975 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
62.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8
מספר מוצר בסיסי
SQS423
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SQS423EN-T1_BE3TR
742-SQS423EN-T1_BE3CT
742-SQS423EN-T1_BE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
IRF9Z30PBF-BE3
MOSFET P-CH 50V 18A TO220AB
SQ4182EY-T1_BE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 32A 8SOIC
APT40M35JVR
MOSFET N-CH 400V 93A SOT227
