מספר מוצר של יצרן:
SQS407ENW-T1_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQS407ENW-T1_GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 30V 16A PPAK1212-8W
תיאור מפורט:
P-Channel 30 V 16A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W
מלאי:
28983 יחידות חדשות מק originales במלאי
12787250
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQS407ENW-T1_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
16A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
10.8mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
77 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
4572 pF @ 20 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
62.5W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8W
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8W
מספר מוצר בסיסי
SQS407
דף נתונים ומסמכים
מידע נוסף
שמות אחרים
SQS407ENW-T1_GE3DKR
SQS407ENW-T1_GE3CT
SQS407ENW-T1_GE3TR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHB21N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
SQD50N04-5M6L_GE3
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
SUD50P10-43L-GE3
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
