מספר מוצר של יצרן:
SQS180ELNW-T1_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQS180ELNW-T1_GE3-DG
תיאור:
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
תיאור מפורט:
N-Channel 80 V 82A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerPAK® 1212-8SLW
מלאי:
9033 יחידות חדשות מק originales במלאי
12960026
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQS180ELNW-T1_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
TrenchFET® GenIV
סטטוס המוצר
Active
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
80 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
82A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
7.1mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
68 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3689 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
119W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Surface Mount, Wettable Flank
חבילת מכשירים לספקים
PowerPAK® 1212-8SLW
חבילה / מארז
PowerPAK® 1212-8SLW
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
742-SQS180ELNW-T1_GE3TR
742-SQS180ELNW-T1_GE3CT
742-SQS180ELNW-T1_GE3DKR
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SI2314EDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
IRF9Z24
MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
IRFZ34PBF
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
