מספר מוצר של יצרן:
SQP90P06-07L_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQP90P06-07L_GE3-DG
תיאור:
MOSFET P-CH 60V 120A TO220AB
תיאור מפורט:
P-Channel 60 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12787343
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQP90P06-07L_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
P-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
120A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
6.7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
270 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
14280 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
300W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SQP90
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SQP90P06-07L_GE3CT
SQP90P06-07L_GE3TR
SQP90P06-07L_GE3DKR
SQP90P06-07L_GE3TR-DG
SQP90P06-07L_GE3CT-DG
SQP90P06-07L_GE3DKRINACTIVE
SQP90P06-07L_GE3TRINACTIVE
SQP90P06-07L_GE3DKR-DG
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SIHB33N60ET1-GE3
MOSFET N-CH 600V 33A TO263
SUD80460E-GE3
MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA
SIHA22N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
