מספר מוצר של יצרן:
SQP50N06-09L_GE3
Product Overview
יצרן:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics מספר חלק:
SQP50N06-09L_GE3-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
תיאור מפורט:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 136W (Tc) Through Hole TO-220AB
מלאי:
12920534
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
SQP50N06-09L_GE3 מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Vishay
אריזות
-
סדרה
TrenchFET®
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
60 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
50A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
72 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
3065 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
136W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 175°C (TJ)
כיתה
Automotive
ההסמכה
AEC-Q101
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220AB
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
SQP50
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
גיליונות נתונים
גיליון נתונים של HTML
מידע נוסף
שמות אחרים
SQP50N06-09L_GE3DKRINACTIVE
SQP50N06-09L_GE3DKR
SQP50N06-09L_GE3CT-DG
742-SQP50N06-09L_GE3
SQP50N06-09L_GE3TR-DG
SQP50N06-09L_GE3-DG
SQP50N06-09L_GE3TR
SQP50N06-09L_GE3CTINACTIVE
SQP50N06-09L_GE3CT
SQP50N06-09L_GE3DKR-DG
חבילה סטנדרטית
500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IRFB3607PBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
3741
DiGi מספר חלק
IRFB3607PBF-DG
מחיר ליחידה
0.41
סוג משאב
MFR Recommended
מספר חלק
IRF1018EPBF
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
2798
DiGi מספר חלק
IRF1018EPBF-DG
מחיר ליחידה
0.42
סוג משאב
MFR Recommended
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
SISC06DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 27.6A/40A PPAK
SIHH20N50E-T1-GE3
MOSFET N-CH 500V 22A PPAK 8 X 8
SQM200N04-1M1L_GE3
MOSFET N-CH 40V 200A TO263-7
